參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC15UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.02V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 7.8A）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： IRG4BC15UD
IRG4BC15MD
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt,
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
d
Q
I
t
20
25
30
35
40
45
50
100
1000
dif
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1000
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
di /dt - (A/μs)
0
40
80
120
160
200
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
100
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC15UD-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC15UD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC15UD-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC15UD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC15UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4BC15UD-LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4BC15UD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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