參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ48RSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的RDS（on）\u003d 0.018ヘ，身份證\u003d 50A條）
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 266K
代理商： IRFZ48RSPBF
IRFZ48RS/LPbF
8
www.irf.com
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: "P" in assembly line
F530S
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
F530S
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 02
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 0 = 2000
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
LOT CODE
ASSEMBLY
DATE CODE
PART NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48RLPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
IRFZ48ZLPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ48ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ48ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRG4BC10KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ48S 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48S_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ48SPBF 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel
IRFZ48STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48STRR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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