參數(shù)資料
型號： IRFZ44NSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 344K
代理商： IRFZ44NSPBF
6
www.irf.com
7*"#(##
7*"#3*
8#2(3*
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
2((##
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
$9/
1#**4
/0+#(
0
100
200
300
400
500
25
50
75
100
125
150
175
E
A
I
TOP 10A
18A
BOTTOM 25A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44RPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44R Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
IRFZ44VLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44VSPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFZ44NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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