參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44VSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRFZ44VSPBF
IRFZ44VSPbF
IRFZ44VLPbF
HEXFET
Power MOSFET
07/15/04
Parameter
Max.
55
39
220
115
0.77
± 20
115
55
11
4.5
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.3
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
www.irf.com
1
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 16.5m
I
D
= 55A
S
D
G
Advanced HEXFET
Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device
design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The D
2
Pak is a surface mount power package capable of accommodating die
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible
on-resistance in any existing surface mount package. The D
2
Pak is suitable for
high current applications because of its low internal connection resistance and
can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRFZ44VL) is available for low-profile applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Optimized for SMPS Applications
Lead-Free
Description
D
2
Pak
IRFZ44VS
TO-262
IRFZ44VL
PD - 95561
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44VPBF Ultra Low On-Resistance
IRFZ44V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
IRFZ44Z RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ44ZL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ44ZS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44VSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSTRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFZ44VZ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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