參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44E
廠商： International Rectifier
英文描述： MOV 230V RMS 17MM HIGH ENERGY
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.023ohm，身份證\u003d 48A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： IRFZ44E
IRFZ44E
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 29A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 29A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
69
177
1.3
104
266
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
48
192
A
Starting T
J
= 25°C, L = 520μH
R
G
= 25
, I
AS
= 29A. (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
I
SD
≤
29A, di/dt
≤
320A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
60
–––
–––
0.063 –––
–––
––– 0.023
2.0
–––
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
–––
60
–––
70
–––
70
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 29A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 30V, I
D
= 29A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 29A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 30V
I
D
= 29A
R
G
= 15
R
D
= 1.1
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
60
13
23
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1360
420
160
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44L HEXFET Power MOSFET
IRFZ44S HEXFET Power MOSFET
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IRFZ44ZPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )
IRFZ44ZSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )
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IRFZ44EL-103HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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