參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 60 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRFZ44A
IRFZ44A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
@ Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
=25 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
μ
s
DC
100
μ
s
1 ms
10 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 175
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
JC
(t)=1.19
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
J
(
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
I
D
T
c
, Case Temperature [
o
C]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
t
1
t
2
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PDF描述
IRFZ44 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL510A Advanced Power MOSFET
IRL510 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL520A Advenced Power MOSFET
IRL520S 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFZ44EL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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