參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 60 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRFZ44A
IRFZ44A
60
--
2.0
--
--
--
--
--
0.063
--
--
--
--
--
590
220
20
16
68
70
64
12.3
23.6
--
--
4.0
100
-100
10
100
0.024
--
2300
680
255
40
40
140
140
83
--
--
32.6
1770
--
--
--
85
0.24
50
200
1.8
--
--
Notes;
(1) Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
(2) L=0.4mH, I
AS
=50A, V
DD
=25V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
°
C
(3) I
SD
≤
50A, di/dt
≤
350A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
°
C
(4) Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
(5) Essentially Independent of Operating Temperature
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Electrical Characteristics
(T
C
=25
°
C unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain ( Miller ) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
°
C
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=60V
V
DS
=48V,T
C
=150
°
C
V
GS
=10V,I
D
=25A
(4)
V
DS
=30V,I
D
=25A
(4)
V
DD
=30V,I
D
=50A,
R
G
=9.1
See Fig 13
(4) (5)
V
DS
=48V,V
GS
=10V,
I
D
=50A
See Fig 6 & Fig 12
(4) (5)
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
(1)
Diode Forward Voltage
(4)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
°
C,I
S
=50A,V
GS
=0V
T
J
=25
°
C,I
F
=50A
di
F
/dt=100A/
μ
s
(4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRL510A Advanced Power MOSFET
IRL510 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRL520A Advenced Power MOSFET
IRL520S 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44CN 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFZ44EL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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