參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.18. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
February 1999
7
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44EL MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44ES MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
IRFZ44NL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ44A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFZ44CN 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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