參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using
’
trench
’ technology.
featuresverylow on-state resistance
and has integral zener diodes giving
ESD protection up to 2kV. It is
intended for use in switched mode
power supplies and general purpose
switching applications.
enhancement
mode
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
49
110
175
22
V
A
W
C
m
The
device
V
GS
= 10 V
PINNING - TO220AB
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
tab
drain
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
, T
j
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
55
55
20
49
35
160
110
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage, all pins
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
-
TYP.
-
MAX.
1.4
UNIT
K/W
R
th j-a
in free air
60
-
K/W
d
g
s
1 2 3
tab
February 1999
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44EL MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44ES MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
IRFZ44NL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ44A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFZ44CN 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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