參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ34VLPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： IRFZ34VLPBF
IRFZ34VS/IRFZ34VL
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
30A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ34VSPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44EPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44NPBF HEXFET-R Power MOSFET
IRFZ44VZLPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
IRFZ44VZPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ34VPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A TO-220
IRFZ34VS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRFZ34VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A D2-PAK
IRFZ35 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
IRFZ40 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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