參數(shù)資料
型號： IRFZ34N
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFZ34N
IRFZ34N
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 6.5A
11A
BOTTOM 16A
D
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ34VL Advanced Process Technology
IRFZ34VS Advanced Process Technology
IRFZ34 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
IRFZ34VLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ34VSPbF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ34N-019 制造商:IandR 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
IRFZ34NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ34NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ34NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR ((NW))
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