參數(shù)資料
型號： IRFZ34
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
中文描述： 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： IRFZ34
IRFZ34
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44A 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRFZ44 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL510A Advanced Power MOSFET
IRL510 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
IRL520A Advenced Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFZ34EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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