參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ34
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： IRFZ34
IRFZ34
BV
DSS
= 60 V
R
DS(on)
= 0.04
I
D
= 30 A
60
30
21.2
120
±
20
463
30
7.7
5.5
77
0.52
- 55 to +175
300
1.94
--
62.5
--
0.5
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
°
C Operating Temperature
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 60V
Lower R
DS(ON)
: 0.030
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44A 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFZ44 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRL510A Advanced Power MOSFET
IRL510 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRL520A Advenced Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFZ34A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
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IRFZ34EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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