參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ34
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.040ohm，身份證\u003d 26A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商： IRFZ34
IRFZ34VS/IRFZ34VL
6
www.irf.com
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
12A
21A
30A
TOP
BOTTOM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ34VLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ34VSPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44EPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44NPBF HEXFET-R Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFZ34E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ34EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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