- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378639 > IRFZ14 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ14 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 10 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | IRFZ14 |
IRFZ14
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24 | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFZ34A | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFZ34 | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFZ44A | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFZ44 | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ14_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ14A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ14L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ14LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ14PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。