參數(shù)資料
型號： IRFY120
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
中文描述： 7.3 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 14K
代理商： IRFY120
IRFY120
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
stg
R
θ
JC
R
θ
JA
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
±20V
7.3A
4.6A
29A
30W
0.24W/°C
–55 to 150°C
4.1°C/W max.
80°C/W max.
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
1
1
1
1
1
1
1
1
2.54
BSC
10.41
10.67
3.56
0.70
0.90
2.65
2.75
0.89
1.14
4.70
5.00
1 2 3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
TO–220M – Metal Package
N–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
FEATURES
HERMETICALLY SEALED TO–220 METAL
PACKAGE
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
100V
7.3A
0.31
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PDF描述
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IRFY140 N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
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參數(shù)描述
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IRFY130 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HI-REL - Bulk
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