型號(hào): | IRFU9010PBF |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK |
中文描述: | RF MOSFET Small Signal P-Chan 50V 5.3 Amp |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 68K |
代理商: | IRFU9010PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFD010PBF | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
IRFD020PBF | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP |
IRFW550A | Advanced Power MOSFET |
IRFI550A | Advanced Power MOSFET |
IRFWI550A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFU9012 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |
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IRFU9014PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |