參數(shù)資料
型號： IRFU410
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 1.5 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： IRFU410
4-405
FIGURE 8. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 11. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 12. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
150
o
C
25
o
C
V
GS
, GATE VOLTAGE (V)
I
D
,
3
1
0.13
4
5
6
7
8
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
= 30V
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
3
2
1
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I
D
= 1.5A, V
GS
= 10V
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
RSS
C
OSS
C
ISS
300
250
200
150
100
50
00
5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
15
20
25
C
150
o
C
25
o
C
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
I
S
,
3
1
0.10.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
I
D
= 1.5A
20
18
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14 15
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
IRFR410, IRFU410
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR410 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(1.5A, 500V, 7.000 Ω N溝道MOSFET)
IRFZ20 HEXFET TRANSISTORS
IRFZ22 HEXFET TRANSISTORS
IRFZ24L HEXFET Power MOSFET
IRFZ24S HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFU4104 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFU4104-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4104PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4105PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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