參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU2605
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份證\u003d 19A條）
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大小： 345K
代理商： IRFU2605
IRFR2605
IRFU2605
Package Outline
D-PAK Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
D-PAK
Part Marking Information
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
EXAMPLE : THIS IS AN IRFR120
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
120
IRFR
9U 1P
A
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: (44) 0883 713215
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 3L1, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: 6172 37066
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: (39) 1145
10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR
SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, 0316 Tel: 65 221 8371
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR2905 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
IRFU310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU2607Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU2607ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU2905ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU310 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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