參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU2605
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份證\u003d 19A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRFU2605
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
––– 0.051 –––
–––
––– 0.085
2.0
–––
3.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.1
–––
56
–––
31
–––
39
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 11A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 11A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 25V
I
D
= 11A
R
G
= 20
R
D
= 2.2
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
10
-10
23
5.4
10
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
420
250
67
–––
–––
–––
pF
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
67
0.18
1.5
100
0.26
V
ns
μC
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 830μH
R
G
= 25
, I
AS
= 11A. (See Figure 12)
I
SD
≤
11A, di/dt
≤
110A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
–––
72
–––
–––
18
A
nH
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
ns
μA
G
D
S
G
D
S
μA
IRFR2605
IRFU2605
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR2905 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
IRFU310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU2607Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU2607ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU2905ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU310 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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