參數(shù)資料
型號： IRFU13N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.18ohm，身份證\u003d 14A條）
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRFU13N15D
4
www.irf.com
IRFR13N15D/IRFU13N15D
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
8.3A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
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IRFR13N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFU18N15DPBF SMPS MOSFET
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