參數(shù)資料
型號： IRFU13N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.18ohm，身份證\u003d 14A條）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： IRFU13N15D
2
www.irf.com
IRFR13N15D/IRFU13N15D
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Parameter
Min. Typ. Max. Units
5.0
–––
––– 19 29 I
D
= 8.3A
–––
5.5
8.2
–––
9.4
14
–––
8.0
–––
–––
26
–––
–––
12
–––
–––
11
–––
–––
620
–––
–––
130
–––
–––
38
–––
–––
780
–––
–––
62
–––
–––
110
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 8.3A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 8.3A
R
G
= 11
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
130
8.3
8.6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 8.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 8.3A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
110
520
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Diode Characteristics
14
56
A
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.18
5.5
25
250
100
-100
V
V
GS
= 10V, I
D
= 8.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.75
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFU13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFU18N15DPBF SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU13N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 14A I-PAK
IRFU13N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU13N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU15N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU15N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*