參數資料
型號: IRFSL41N15D
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 150伏時,RDS(on)的最大值\u003d 0.045ohm,身份證\u003d 41A條)
文件頁數: 6/11頁
文件大小: 193K
代理商: IRFSL41N15D
IRFB/IRFS/IRFSL41N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
10A
21A
25A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFB42N20D High frequency DC-DC converters
IRFS42N20D High frequency DC-DC converters
IRFSL42N20D High frequency DC-DC converters
IRFB9N30A N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRFBA31N50L SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFSL41N15DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFSL4227PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4228PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4229PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL42N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters