參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL38N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.054ohm，身份證\u003d 44A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： IRFSL38N20D
IRFB/IRFS/IRFSL38N20D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
44A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
300μs PULSE WIDTH
Tj = 25
°
C
TOP VGS
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
5.0V
300μs PULSE WIDTH
Tj = 175
°
C
TOP VGS
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VDS = 15V
300μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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IRFS4310 HEXFET Power MOSFET
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IRFSL4127PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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