參數(shù)資料
型號： IRFSL3507
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： IRFSL3507
www.irf.com
9
TO-262 Package Outline
(Dimensions are shown in millimeters (inches))
TO-262 Part Marking Information
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IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
4- COLLECTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS3507 HEXFET Power MOSFET
IRFB3507 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFS4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFB4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL3507PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 97A, 8.8 MOHM, 88 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3607PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3806PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL38N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
IRFSL38N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 44A, 54 MOHM, 60 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 38A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V D2-PAK
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