參數(shù)資料
型號： IRFS4710
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.014ohm，身份證\u003d 75A條）
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文件大小： 245K
代理商： IRFS4710
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3/16/01
IRFB4710
IRFS4710
IRFSL4710
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.014
I
D
75A
PD- 94080
D
2
Pak
IRFS4710
TO-220AB
IRFB4710
TO-262
IRFSL4710
Parameter
Max.
75
53
300
3.8
200
1.4
± 20
8.2
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
l
High frequency DC-DC converters
l
Motor Control
l
Uninterrutible Power Supplies
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.74
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFSL52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFS52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
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參數(shù)描述
IRFS4710HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 75A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRFS4710PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS4710TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 75A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS4710TRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 100V 75A
IRFS510 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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