參數(shù)資料
型號： IRFSL23N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.10ohm，身份證\u003d 24A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： IRFSL23N20D
IRFB/IRFS/IRFSL23N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
5.9A
10A
14A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFB23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFS31N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS31N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL23N20D102P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL23N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 24A, 100 MOHM, 57 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 24A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3004PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3006PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3107PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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