參數(shù)資料
型號： IRFS750
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 先進(jìn)的功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRFS750
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFS750A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS750A Advanced Power MOSFET
IRFS840BF 500V N-Channel MOSFET
IRFSZ14A N-Channel Power MOSFET（60V，0.14Ω，8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.14Ω，漏電流8A）)
IRFSZ34A N-Channel Power MOSFET（60V，0.04Ω，20A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流20A）)
IRFSZ44A N-Channel Power MOSFET（60V，0.024Ω，30A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.024Ω，漏電流30A）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS750A 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS820 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220VAR
IRFS820A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFS820B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS820BT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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