參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS730A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（400V，1.0Ω，3.9A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.0Ω，漏電流3.9A）)
中文描述： 3.9 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRFS730A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 400V
Lower R
DS(ON)
: 0.765 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 )
Continuous Drain Current (T
C
=100 )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25 )
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
Characteristic
Value
400
3.9
2.5
22
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220F
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
IRFS730A
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 1.0
I
D
= 3.9 A
348
3.9
3.8
4.0
38
0.3
- 55 to +150
300
3.31
62.5
--
--
30
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS740A N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，5.7A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.55Ω，漏電流5.7A）)
IRFS820A Advanced Power MOSFET
IRFS830A N-Channel Power MOSFET（500V，1.5Ω，3.1A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻1.5Ω，漏電流3.1A）)
IRFS840A N-Channel Power MOSFET（500V，0.85Ω，4.6A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻0.85Ω，漏電流4.6A）)
IRFS840 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS730B 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS730BT 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS731 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS732 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRFS733 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
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