參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS730A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（400V，1.0Ω，3.9A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.0Ω，漏電流3.9A）)
中文描述： 3.9 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRFS730A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25 unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/ T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
V
nA
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250 A
I
D
=250 A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250 A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=400V
V
DS
=320V,T
C
=125
V
GS
=10V,I
D
=1.95A
V
DS
=50V,I
D
=1.95A
V
DD
=200V,I
D
=5.5A,
R
G
=12
See Fig 13
V
DS
=320V,V
GS
=10V,
I
D
=5.5A
See Fig 6 & Fig 12
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25 ,I
S
=3.9A,V
GS
=0V
T
J
=25 ,I
F
=5.5A
di
F
/dt=100A/ s
O
1
O
O
4
O
5
Ο
C
Ο
C
Ο
Ο
C
O
4
O
4
O
4
O
5
4
Ο
C
IRFS730A
400
--
2.0
--
--
--
--
--
0.52
--
--
--
--
--
95
43
15
18
62
22
32
4.6
16.6
--
--
4.0
100
-100
10
100
1.0
--
880
110
52
40
50
140
60
42
--
--
3.44
675
--
--
--
259
1.81
3.9
22
1.5
--
--
Notes ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=40mH, I
AS
=3.9A, V
DD
=50V, R
G
=27
I
SD
5.5A, di/dt
14
0A/ s, V
DD
BV
DSS
, Starting T
J
=25
Pulse Test : Pulse Width = 250 s, Duty Cycle 2%
Essentially Independent of Operating Temperature
O
5
, Starting T
J
=25
<
<
O
1
O
O
3
O
2
4
o
C
o
C
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS740A N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，5.7A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.55Ω，漏電流5.7A）)
IRFS820A Advanced Power MOSFET
IRFS830A N-Channel Power MOSFET（500V，1.5Ω，3.1A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻1.5Ω，漏電流3.1A）)
IRFS840A N-Channel Power MOSFET（500V，0.85Ω，4.6A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻0.85Ω，漏電流4.6A）)
IRFS840 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS730B 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS730BT 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS731 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS732 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRFS733 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
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