參數(shù)資料
型號： IRFS59N10DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/11頁
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代理商： IRFS59N10DPBF
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IRFB59N10DPbF
IRFS59N10DPbF
IRFSL59N10DPbF
HEXFET Power MOSFET
SMPS MOSFET
High frequency DC-DC converters
UPS / Motor Control Inverters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.025
I
D
59A
Typical SMPS Topologies
Half-bridge and Full-bridge DC-DC Converters
Full-bridge Inverters
PD - 95378
D
2
Pak
IRFS59N10D
TO-220AB
IRFB59N10D
TO-262
IRFSL59N10D
Parameter
Max.
59
42
236
3.8
200
1.3
± 30
3.3
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL59N10DPbF HEXFET Power MOSFET
IRFSL11N50APBF HEXFET Power MOSFET
IRFU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU1010ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU120NPBF Fast Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS59N10DTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS59N10DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS59N10DTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 59A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS59N10DTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advenced Power MOSFET (N-CHANNEL)
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