參數資料
型號： IRFSL59N10DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 1/11頁
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代理商： IRFSL59N10DPBF
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IRFB59N10DPbF
IRFS59N10DPbF
IRFSL59N10DPbF
HEXFET Power MOSFET
SMPS MOSFET
High frequency DC-DC converters
UPS / Motor Control Inverters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.025
I
D
59A
Typical SMPS Topologies
Half-bridge and Full-bridge DC-DC Converters
Full-bridge Inverters
PD - 95378
D
2
Pak
IRFS59N10D
TO-220AB
IRFB59N10D
TO-262
IRFSL59N10D
Parameter
Max.
59
42
236
3.8
200
1.3
± 30
3.3
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
相關PDF資料
PDF描述
IRFSL11N50APBF HEXFET Power MOSFET
IRFU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU1010ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU120NPBF Fast Switching
IRFU120PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27ヘ , ID = 7.7A )
相關代理商/技術參數
參數描述
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