參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS3507
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 413K
代理商： IRFS3507
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 100μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
2
4
6
8
10
12
14
IR
IF = 19A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
2
4
6
8
10
12
14
IR
IF = 39A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
Q
IF = 19A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
50
100
150
200
250
300
Q
IF = 39A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB3507 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFS4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFB4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
IRFSL52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
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參數(shù)描述
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IRFS3507TRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRFS351 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR
IRFS3607PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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