參數(shù)資料
型號： IRFS3307
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： IRFS3307
www.irf.com
9
TO-262 Package Outline
(Dimensions are shown in millimeters (inches))
TO-262 Part Marking Information
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IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
4- COLLECTOR
相關PDF資料
PDF描述
IRFB3307 HEXFET Power MOSFET
IRFSL3507 HEXFET Power MOSFET
IRFS3507 HEXFET Power MOSFET
IRFB3507 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS3307_06 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307ZPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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