參數(shù)資料
型號： IRFS3307
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： IRFS3307
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 150μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
5
10
15
20
IR
IF = 30A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
5
10
15
20
IR
IF = 45A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Q
IF = 30A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif/dt (A/μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Q
IF = 45A
VR = 64V
TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
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PDF描述
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IRFS3307ZPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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