參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS3306PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
中文描述： 高效率同步整流開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： IRFS3306PBF
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 6.
Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.5V
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
TOP
BOTTOM
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
VDS = 25V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 75A
VGS = 10V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
140
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 48V
VDS= 30V
VDS= 12V
ID= 75A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFSL3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS38N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFS38N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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IRFS3307TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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