參數(shù)資料
型號： IRFS3306PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
中文描述： 高效率同步整流開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： IRFS3306PBF
6/5/06
www.irf.com
1
HEXFET Power MOSFET
S
D
G
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
D
2
Pak
IRFS3306PbF
TO-220AB
IRFB3306PbF
TO-262
IRFSL3306PbF
S
D
G
S
D
G
S
D
G
D
D
D
IRFB3306PbF
IRFS3306PbF
IRFSL3306PbF
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D
60V
3.3m
4.2m
160A
G
D
S
Gate
Drain
Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
A
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
W
W/°C
V
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
V/ns
°C
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Symbol
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.65
–––
62
40
Units
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
Junction-to-Ambient, TO-220
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
°C/W
300
Max.
160
110
620
230
1.5
200
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,
14
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFSL3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS38N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFS38N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS3306TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307 功能描述:MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS3307_06 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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