參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS3207ZPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 840K
代理商： IRFS3207ZPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
ID
Limited By Package
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
70
75
80
85
90
95
100
V(
Id = 5mA
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
EA
ID
TOP 16A
28A
BOTTOM 75A
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRFS3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFSL3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFS3306 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFS3306PBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 85nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3306TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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