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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRC20TR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 169K |
| 代理商： | IRFRC20TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFRC20TRR | 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFUC20PBF | 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRHM2C50SEUPBF | 10.4 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRHM2C50SEDPBF | 10.4 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRHM2C50SE | 10 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFRC20TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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