參數(shù)資料
型號： IRFR9120
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： IRFR9120
4-85
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
P
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-6
-2
-4
-1
0
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-3
-5
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
0.1
1
Z
θ
J
,
10
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
T
-30
-10
-1
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
100
μ
s
10ms
100ms
DC
1ms
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
10
-5
10
1
-10
2
t, PULSE WIDTH (ms)
I
D
,
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
FOR TEMPERATURES ABOVE 25
o
C
DERATE PEAK CURRENT
CAPABILITY AS FOLLOWS:
I
I25
150
---------------------
–
=
-10
1
-10
0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
T
C
= 25
o
C
IRFR9120, IRFU9120
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PDF描述
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