參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR430B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 3.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 674K
代理商： IRFR430B
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
0
3
6
9
12
15
1
2
3
4
5
6
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
※
Note : I
D
= 3.5 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
300
600
900
1200
1500
1800
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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PDF描述
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IRFD020PBF MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
IRFW550A Advanced Power MOSFET
IRFI550A Advanced Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFR4510TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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