參數(shù)資料
型號： IRFR3711TR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直|已廢除一（d）|對252AA
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 239K
代理商： IRFR3711TR
www.irf.com
1
2/7/01
IRFR3711
IRFU3711
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
6.5m
V
DSS
20V
I
D
110A
Notes
through
are on page 10
D-Pak I-Pak
IRFR3711 IRFU3711
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.96 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
110
69
440
2.5
120
A
W
W
-55 to + 150
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.04
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Applications
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Server Processor Power Synchronous FET
l
Optimized for Synchronous Buck
Converters Including Capacitive Induced
Turn-on Immunity
Benefits
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD- 94061
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3711TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFU9110 RES 4.75K-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR9110TRL 150 x 32 pixel format, LED Backlight available
IRFR9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR3711TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3711TRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3711TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3711TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 110A 6.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3711TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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