參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR220
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4.6A, 200V, 0.800 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(4.6A, 200V, 0.800 Ω,nN溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： IRFR220
4-391
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET Sym-
bol Showing the Integral
Reverse P-N Junction
Rectifier
-
-
4.6
A
Pulse Source to Drain Current (Note 3)
-
-
18
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 4.6A, V
GS
= 0V, (Figure 13)
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 4.6A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 4.6A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
1.8
V
Reverse Recovery Time
69
170
400
ns
Reverse Recovery Charge
0.30
0.72
1.8
μ
C
NOTES:
2. Pulse test: pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 10V, starting T
J
= 25
o
C, L = 6.18mH, R
G
= 50
,
peak I
AS
= 4.6A.
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
G
D
S
0
50
100
150
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
150
25
75
125
5
4
3
2
1
1
0.1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
Z
θ
J
,
T
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (S)
SINGLE PULSE
P
DM
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
t
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.5
10
IRFR220, IRFU220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(2.5A, 500V, 3.000 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
IRFU9120 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR220,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR220_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220119 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2209A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2209AS2463 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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