參數(shù)資料
型號： IRFR120A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 8.4 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： IRFR120A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.155 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
*
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
A
=25
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
)
)
Characteristic
Value
100
8.4
5.3
34
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
I
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/
A
*
D-PAK
1. Gate 2. Drain 3. Source
1
2
3
I-PAK
1
3
2
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
θ
Ο
C
Ο
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
IRFR/U120A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.2
I
D
= 8.4 A
141
8.4
3.2
6.5
2.5
32
0.26
- 55 to +150
300
3.9
50
110
--
--
--
2
0
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU120A Advanced Power MOSFET
IRFRU220A Advanced Power MOSFET
IRFS140A N-Channel Power MOSFET（23A，60V，0.04Ω）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏電流23A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.04Ω）)
IRFS150A N-Channel Power MOSFET（100V，0.04Ω，31A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流31A）)
IRFS240A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，12.8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流12.8A）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR120ATF 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR120ATM 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR120N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.4A 3PIN DPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK
IRFR120NCPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR120NCTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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