參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS150A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（100V，0.04Ω，31A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流31A）)
中文描述： 31 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 259K
代理商： IRFS150A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.032 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100 )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
Characteristic
Value
100
31
21.9
170
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-3PF
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
IRFS150A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.04
I
D
= 31 A
641
31
10
6.5
100
0.67
- 55 to +175
300
1.5
40
--
--
2
0
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS240A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，12.8A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流12.8A）)
IRFS244A N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
IRFS244 N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
IRFS250A N-Channel Power MOSFET（200V，0.085Ω，21.3A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.085Ω，漏電流21.3A）)
IRFS254A N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.14Ω，漏電流16A）)
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參數(shù)描述
IRFS151 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR
IRFS17N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS17N20DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFS17N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 170mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS17N20DTRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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