參數(shù)資料
型號(hào)： IRFPS37N50A
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： N-Channel SMPS MOSFET(N溝道 開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道MOSFET的開(kāi)關(guān)電源（不適用溝道開(kāi)關(guān)模式電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFPS37N50A
IRFPS37N50A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
36A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
10
100
1000
10000
100000
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPS37N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
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參數(shù)描述
IRFPS37N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS3810 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFPS3810HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
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