參數(shù)資料
型號(hào)： IRFPS37N50A
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel SMPS MOSFET(N溝道 開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道MOSFET的開(kāi)關(guān)電源（不適用溝道開(kāi)關(guān)模式電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFPS37N50A
Parameter
Max.
36
23
144
446
3.6
± 30
3.5
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
Absolute Maximum Ratings
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
High Speed Power Switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss Specified (See AN
1001)
Applications
V
DSS
500V
R
DS(on)
max
0.13
I
D
36A
Typical SMPS Topologies
l
Full Bridge Converters
l
Power Factor Correction Boost
Notes
through
are on page 8
www.irf.com
IRFPS37N50A
1
12/14/99
SUPER-247
PD- 91822C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPS37N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
IRFPS43N50K SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFPS43N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
IRFPS60N50C SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFR220N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPS37N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS3810 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFPS3810HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
IRFPS3810PBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS3815 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.015ohm, Id=105A)
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