參數(shù)資料
型號: IRFPG40
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
中文描述: 4.3 A, 1000 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 167K
代理商: IRFPG40
相關PDF資料
PDF描述
IRFPG50 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
IRFPS37N50A N-Channel SMPS MOSFET(N溝道 開關模式電源MOS場效應管)
IRFPS37N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
IRFPS43N50K SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管)
IRFPS43N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPG40PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG42 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFPG50 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG50PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG50PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET