型號: | IRFPG40 |
廠商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
中文描述: | 4.3 A, 1000 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 167K |
代理商: | IRFPG40 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFPG50 | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A) |
IRFPS37N50A | N-Channel SMPS MOSFET(N溝道 開關模式電源MOS場效應管) |
IRFPS37N50 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A) |
IRFPS43N50K | SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管) |
IRFPS43N50 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFPG40PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFPG42 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
IRFPG50 | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFPG50PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFPG50PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |