參數(shù)資料
型號： IRFPC50
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 0.60ohm，身份證\u003d 11A條）
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 164K
代理商： IRFPC50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPC50LC Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
IRFPC60 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
IRFPC60LC Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
IRFPG30 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
IRFPG40 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPC50A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50LC 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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