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參數(shù)資料
| 型號： | IRFPC50 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 0.60ohm，身份證\u003d 11A條） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | IRFPC50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPC50LC | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) |
| IRFPC60 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) |
| IRFPC60LC | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) |
| IRFPG30 | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) |
| IRFPG40 | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFPC50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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